我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点，适用于对能谱要求高的场合，如氡钍分析仪等，B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层，克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高，作为放射性强度测量的探测器。

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