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金硅面垒型半导体探测器

更新时间:2024-05-10

简要描述:

我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。

型号:厂商性质:代理商浏览量:1658
品牌飞诺飞产地类别国产
应用领域环保,化工,能源

我公司生产部分耗尽型金硅面垒型半导体探测器,A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点,适用于对能谱要求高的场合,如氡钍分析仪等,B 系列在A 系列的窗前镀上一个保护层,克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高,作为放射性强度测量的探测器。

型号工作电压

对比ORTEC

U-016-300-100 型

探测器

(Am-241 面源)

真空下测量能量分

辩率1.2%

对比ORTEC

U-016-300-100 型

探测器

(Am-241 面源)

真空下测量峰道址

202

A-AS205~300VDC大于1000204~206
A-AS265~300VDC大于1000204~206
B-AS205~300VDC大于1000189-191
B-AS265~300VDC大于1000189-191



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